RTP(磷酸鈦氧銣)晶體屬KTP族晶體,因其良好的電學(xué)與光學(xué)性能,包括較高的電阻率(約1011-1012Ω.cm和抗光傷閾值,非常適合用做電光器件,如激光Q開關(guān),、快門、相位和振幅調(diào)制器、脈沖選擇器,腔倒空器和偏轉(zhuǎn)器.

我公司提供的RTP晶體Q開關(guān),采用雙晶體結(jié)構(gòu),兩塊晶體光軸彼此垂直,可以自動(dòng)補(bǔ)償環(huán)境溫度變化,是一種無需溫控的激光器件.除此之外,RTP晶體器件還具有下列明顯優(yōu)勢(shì):

1. 適用波長(zhǎng):450nm - 3μm,器件消光比 > 23 dB

2. 雙晶體總的電容量很小, 5mm長(zhǎng)晶體的總電容量為2-3pF或10mm長(zhǎng)晶體的總電容量為3-4pF,可實(shí)現(xiàn)脈沖上升/下降時(shí)間:-5ns

3. 與其它電光Q相比,具有較低的半波電壓,更容易控制

4. 晶體內(nèi)部質(zhì)量好,光學(xué)吸收低,雙晶體的總體透光率>%

5. 動(dòng)態(tài),、靜態(tài)半波電壓基本一致,易于安裝和調(diào)節(jié)

6. 適用于高頻操作,最高開關(guān)頻率可達(dá)1MHz

7. 小巧的外形和較低的操作電壓,使其更適于新型的光纖與碟片激光器應(yīng)用

8. 最大15x15mm²口徑器件可用于大型軍工和航天用途激光器

9. 使用溫度﹣50-70℃,無需溫控

10. 晶體損傷閾值達(dá)1GW/cm² @ 1064nm, 10ns脈寬

11. 晶體不潮解,介電常數(shù)低,優(yōu)良的電學(xué)穩(wěn)定性,可長(zhǎng)期承受外加電壓