靜電事故的產生主要在于靜電的產生和積累,而氣流的流動,氣流和管道、風口,、過濾器等摩擦,人體和衣服的摩擦,衣服之間的摩擦,工藝上的研磨,噴涂,、射流、洗滌,、攪拌,、粘合和剝離等操作,所有選些都可能產生靜電,在一般情況下,越是電導率小的非導體(絕緣體),由于電荷產生后不易流動,因此表現(xiàn)為越容易帶電. 靜電問題所以在潔凈室中特別嚴重,是因為不但在潔凈室中具備前述產生靜電的多種工藝因素,而且因為潔凈室中的許多材料如塑料地面、墻面,尼龍,、的確良等工作服都有很高的電阻率,都極易產生靜電和集聚靜電,在潔凈室的靜電災害未被重視以前,這些材料料是被廣泛采用的控制產品 (如硅芯片等) 所接觸之大氣的潔凈度及溫濕度,使產品能在一個良好之環(huán)境空間中生產,、制造.此空間的設計施工過程即可稱為凈化工程.

    潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定,但在滿足工藝要求的條件下,無塵車間考慮到人的舒適度感.隨著空氣潔凈度要求的提高,出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢.具體工藝對溫度的要求以后還要列舉,但作為總的原則看,由于加工精度越來越精細,所以對溫度波動范圍的要求越來越小.例如在大規(guī)模集成電路生產的光刻曝光工藝中,作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小.直徑100 um的硅片,溫度上升1度,就引起了線性膨脹,所以必須有±度的恒溫,同時要求濕度值一般較低,因為人出汗以后,對產品將有污染,特別是怕鈉的半導體車間,這種車間不宜超過25度.

濕度過高產生的問題更多.凈化設備相對濕度超過55%時,冷卻水管壁上會結露,如果發(fā)生在精密裝置或電路中,就會引起各種事故.相對濕度在50%時易生銹.此外,濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅

表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐難以清除.相對濕度越高,粘附的難去掉,但當相對濕度低于30%時,又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面,同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿.對于硅片生產最佳溫度范圍為35—45%.

對于大部分潔凈空間,為了防止外界污染侵入,需要保持內部的壓力(靜壓)高于外部的壓力(靜壓).壓力差的維持一般應符合以下原則:

1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力.

2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力.

3.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間.

    壓力差的維持依靠新風量,這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量.所以壓力差的物理意義就是漏泄(或滲透)風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力.這里要討論的氣流速度是指潔凈室內的氣流速度,在-潔凈空間中的氣流速度在討論具體設備時再說明.對于亂流潔凈室 由于主主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的程度,所以主要用換氣次數(shù)這一概念,而不直接用速度的概念,不過對室內氣流速度也有如下要求;

(1)送風口出口氣流速度不宜太大,和單純空調房間相比,要求速度衰減更快,擴散角度更大.

(2)吹過水平面的氣流速度(例如側送時回流速度)不宜太大,以免吹起表面微粒重返氣流,而造成再污染,這一速度一般不宜大干/s.

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