BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！實(shí)現(xiàn)中國電力電子產(chǎn)業(yè)升級(jí),！

為什么在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命,！

儲(chǔ)能變流器（Power Conversion System）英文簡(jiǎn)稱PCS，可控制蓄電池的充電和放電過程,，進(jìn)行交直流的變換,，在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。 儲(chǔ)能變流器PCS由DC/AC 雙向變流器,、控制單元等構(gòu)成,。 根據(jù)功率指令的符號(hào)及大小控制變流器對(duì)電池進(jìn)行充電或放電，實(shí)現(xiàn)對(duì)電網(wǎng)有功功率及無功功率的調(diào)節(jié),。PCS儲(chǔ)能變流器,，全稱Power Conversion System，是儲(chǔ)能系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備,，用于實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能電池與電網(wǎng)之間的能量轉(zhuǎn)換和雙向流動(dòng),。它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電，以滿足電網(wǎng)對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的充放電需求,。PCS儲(chǔ)能變流器在儲(chǔ)能系統(tǒng)中扮演著“橋梁”的角色,，連接著儲(chǔ)能電池和電網(wǎng)，確保儲(chǔ)能系統(tǒng)的高效,、穩(wěn)定運(yùn)行,。

PCS儲(chǔ)能變流器的應(yīng)用場(chǎng)景

1.能量時(shí)移：在用戶側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中，PCS儲(chǔ)能變流器可以用于能量時(shí)移,，將白天時(shí)段內(nèi)光伏多余的發(fā)電量?jī)?chǔ)存起來,，在晚上或者陰雨天氣無光伏發(fā)電量的時(shí)段內(nèi)再通過PCS釋放出來，可以實(shí)現(xiàn)光伏發(fā)電的最大化自發(fā)自用,。

2.峰谷套利：在用戶側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,，尤其是執(zhí)行分時(shí)電價(jià)的工商業(yè)園區(qū)，PCS儲(chǔ)能變流器可用于進(jìn)行峰谷套利,，通過在電價(jià)低廉的時(shí)間段進(jìn)行充電,，在電價(jià)高昂的時(shí)間段進(jìn)行放電，實(shí)現(xiàn)低充高放進(jìn)行套利,，達(dá)到節(jié)省園區(qū)整體用電成本的目的,。

3.動(dòng)態(tài)擴(kuò)容：在電力容量受限的場(chǎng)景，類似電動(dòng)汽車充電站場(chǎng)景,，通過PCS儲(chǔ)能變流器配置儲(chǔ)能電池來進(jìn)行動(dòng)態(tài)擴(kuò)容，充電高峰時(shí)候,，PCS儲(chǔ)能變流器進(jìn)行放電,，提供額外的功率支持,；充電低峰時(shí)，PCS儲(chǔ)能變流器進(jìn)行充電,，儲(chǔ)存低價(jià)的電能進(jìn)行備用,，既能實(shí)現(xiàn)峰谷套利，又能給充電場(chǎng)站進(jìn)行動(dòng)態(tài)擴(kuò)容,。

4. 微電網(wǎng)系統(tǒng)：在微電網(wǎng)系統(tǒng)中,，PCS儲(chǔ)能變流器能夠?qū)崿F(xiàn)分布式電源與儲(chǔ)能系統(tǒng)的協(xié)調(diào)控制，提高微電網(wǎng)的穩(wěn)定性和供電質(zhì)量,。通過PCS儲(chǔ)能變流器的精確功率控制和智能能量管理,，可以實(shí)現(xiàn)微電網(wǎng)系統(tǒng)中電源和負(fù)荷的平衡和優(yōu)化調(diào)度。

5. 電力系統(tǒng)調(diào)頻調(diào)峰：在電力系統(tǒng)中,，PCS儲(chǔ)能變流器可以用于調(diào)頻調(diào)峰,，提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷高峰時(shí),，PCS儲(chǔ)能變流器可以釋放儲(chǔ)能電池中的能量,，為電網(wǎng)提供額外的功率支持；當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷低谷時(shí),，PCS儲(chǔ)能變流器則可以吸收電網(wǎng)中的多余能量,，為儲(chǔ)能電池充電，以備后用,。

PCS儲(chǔ)能變流器的發(fā)展趨勢(shì)

目前在大型儲(chǔ)能電站中普遍采用集中式PCS,一臺(tái)大功率PCS同時(shí)控制多簇并聯(lián)的電池,，電池簇間的不均衡問題得不到有效的處理；而組串式PCS,，一臺(tái)中小功率的PCS只控制一簇電池,，實(shí)現(xiàn)一簇一管理，有效規(guī)避電池簇間的木桶效應(yīng),，提升系統(tǒng)壽命,，提高全壽命周期放電容量，組串式PCS規(guī)?；瘧?yīng)用趨勢(shì)已見雛形,，在工商業(yè)儲(chǔ)能一體柜中組串式PCS已成為行業(yè)主流方案，未來在大型儲(chǔ)能電站中也將實(shí)現(xiàn)大規(guī)?；瘧?yīng)用,。

隨著新能源和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展以及儲(chǔ)能技術(shù)的不斷進(jìn)步，PCS儲(chǔ)能變流器將面臨更大的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn),。未來,，PCS儲(chǔ)能變流器將朝著更高效、更智能,、更靈活的方向發(fā)展,。

IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會(huì)表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性,，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊,，開關(guān)頻率增加,，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運(yùn)行,，開關(guān)損耗相對(duì)較低,，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進(jìn)步使變流器總體積大幅度減少,，效率提高,，從而能夠在較低溫度下運(yùn)行并可能延長(zhǎng)組件的使用壽命。

為了滿足PCS儲(chǔ)能變流器更高效的需求,，使用基本公司碳化硅SiC模塊全面取代IGBT模塊,，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益,。SiC模塊全面取代IGBT模塊,，從而將PCS儲(chǔ)能變流器開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命,！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在高壓變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在高性能變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在風(fēng)電變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在伺服驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在電能質(zhì)量APF應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC-PIM模塊在電梯變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT-PIM模塊,！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC-IPM模塊在空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用中全面取代IGBT-IPM模塊！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在機(jī)車牽引變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

BASiC?基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在汽車電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,！

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

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使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng),！-基半BASiC一級(jí)代理商專業(yè)分銷

使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT變流器，實(shí)現(xiàn)更高的變流效率,，更小的變流體積重量,！更低的變流成本！

隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng),，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,，未來已來,！基半BASiC一級(jí)代理商專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET！基半BASiC一級(jí)代理商全力推進(jìn)基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT!

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基半BASiC一級(jí)代理商專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H,，IMYH200R050M1H,，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H,，DF4-19MR20W3M1HF_B11,，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H,，F(xiàn)F5MR20KM1HP,，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H,，F(xiàn)F3MR20KM1HP,。

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11，F(xiàn)F900R17ME7W_B11,，F(xiàn)F450R12KT4,，F(xiàn)F600R12ME4_B72，F(xiàn)F750R12ME7_B11,，F(xiàn)F900R12ME7P_B11,，IFF600B12ME4_B11，F(xiàn)F600R12KE4

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1,，SK40MB120CR03TE1,，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1,，SK150MB120CR03TE2,，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC,，SK250MB120CR03TE2V1,，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17,，SKM500MB120SC,，SKM260MB170SCH17

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50,，2MBI450XNA120-50,，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50,，2MBI1000XRNE120-50,，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50,，2MBI800XRNE170-50,，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50,，2CSI600DAHE120-50,，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50,，2CSI400DAHE170-50

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基半BASiC一級(jí)代理商致力于SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊，SiC單管在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT單管,，650V SiC碳化硅MOSFET在電源應(yīng)用中全面取代Super Junction超結(jié)MOSFET!

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲(chǔ)系統(tǒng),，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲(chǔ)能變流器PCS,，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器,，固態(tài)變壓器等。

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案,，控制復(fù)雜,，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造,，控制簡(jiǎn)單可靠,，頻率提升，電感成本降低,，MPPT部分提升效率,，降低成本。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小,。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性,。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件,，相應(yīng)的損耗會(huì)下降,，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化）,，同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值,。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸,、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗,、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向,，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此,，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性,，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻,、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能,，可助力光伏儲(chǔ)能,、新能源汽車、直流快充,、工業(yè)電源,、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng),、APF/SVG,、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器,、逆變焊機(jī),、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

為滿足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓,、大功率的應(yīng)用需求,，BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻,、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn),。

針對(duì)新能源汽車的應(yīng)用需求,，BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中,。

B3M040120Z是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開發(fā)的最新產(chǎn)品,，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性,，相對(duì)于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻,、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

相較于傳統(tǒng)封裝形式,，BASiC?基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導(dǎo)體的通流能力可以提升約40%,，或者同樣電流輸出使用的半導(dǎo)體用量減少1/3。同樣功率輸出條件下,，功率模塊物料成本有望降低20%,。PCB布局設(shè)計(jì)相對(duì)于傳統(tǒng)封裝設(shè)計(jì)更加靈活，大大加快了工程開發(fā)的迭代速度和客戶交付速度,。受到封裝-而難以在傳統(tǒng)逆變器中實(shí)現(xiàn)的高級(jí)電路拓?fù)?，如三電平、IGBT/SiC MOSFET混并等方案,，都可以借助BASiC?基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(yōu)勢(shì)而加速了產(chǎn)業(yè)化落地,。

根據(jù)技術(shù)和商業(yè)評(píng)估，BASiC?基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項(xiàng)非常有前景的封裝技術(shù),，有望在在單位功率成本,、功率密度、產(chǎn)品交付和迭代速度等方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越傳統(tǒng)封裝,，成為未來電力電子應(yīng)用的新方向,。

BMF240R12E2G3是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級(jí)全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器,、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗,、抗誤導(dǎo)通,、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,，主要應(yīng)用于OBC,、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列,，此驅(qū)動(dòng)芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,，還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件,。

為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在,。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì),。

基半BASiC一級(jí)代理商專業(yè)分銷基本?（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊,，BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,，BASiC基本?I型三電平IGBT模塊，BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊,，BASiC基本?混合SiC-IGBT單管,，BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350,，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011R,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源,，戶用光伏逆變器,，戶用光儲(chǔ)一體機(jī)，儲(chǔ)能變流器,，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊,，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器,，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域,。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī),、儲(chǔ)能變流器PCS,、OBC車載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器,，射頻電源,，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng),，商用空調(diào)PFC,大功率工業(yè)電源,，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，變頻器,，輔助電源,，高頻逆變焊機(jī),，高頻伺服驅(qū)動(dòng)，AI服務(wù)器電源,，算力電源,，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,，基半BASiC一級(jí)代理商全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展,！