發(fā)布者認(rèn)證信息(營業(yè)執(zhí)照和身份證)未完善,請登錄后完善信息登錄
亚洲国产另类久久久精品,一区二区三区AV高清免费波多,中文字幕资源77页

欧洲精品久久久AV无码电影_人妻AV无码系列一区二区三区_日本55丰满熟妇厨房伦_日本公与熄乱理在线播放_日本乱偷人妻中文字幕_日本少妇又色又爽又高潮_三级特黄60分钟在线观看_色欲久久人妻内射_少妇人妻偷人精品视蜜桃_亚洲AV高清一区二区三区尤物,八戒,八戒影视剧在线观看免费,日韩精品一区二区三区中文,波多野VA无码中文字幕

未認(rèn)證企業(yè)

武漢傾佳電子有限公司0

BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替...

公司信息

武漢傾佳電子有限公司
會員級別:未認(rèn)證
 我要認(rèn)證
所在地址:武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)
聯(lián)系電話: 未認(rèn)證電話  我要認(rèn)證
手  機(jī): 未認(rèn)證電話  我要認(rèn)證
成立時間:2018
主營行業(yè):BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|華中SiC碳化硅MOSFET功率模塊|國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET武漢代理商|SiC碳化硅MOSFET持續(xù)替代IGBT|2000V碳化硅MOSFET|伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET|SVG及APF電能質(zhì)量SiC碳化硅MOSFET|風(fēng)電變流器SiC碳化硅MOSFET模塊|工業(yè)變頻器SiC碳化硅MOSFET|基本公司SiC碳化硅MOSFET|國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET武漢代理商

新聞中心

  • 暫無新聞
  • 產(chǎn)品分類

  • 暫無新聞
  • 聯(lián)系方式

    站內(nèi)搜索

     
    您當(dāng)前的位置:首頁 » 公司介紹

    公司介紹

    基本公司車規(guī)級SiC碳化硅MOSFET加速替代汽車?yán)锏腎GBT,!

    使用基本公司車規(guī)級SiC碳化硅MOSFET打造全碳汽車功率電力電子系統(tǒng),!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷

    使用基本公司車規(guī)級SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)汽車IGBT應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)更高的汽車功率電力電子系統(tǒng)效率,,更小的汽車功率電力電子系統(tǒng)重量,!更低的汽車功率電力電子系統(tǒng)組件成本!


    隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),,使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,,散熱系統(tǒng),,整機(jī)重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代,,未來已來,!傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET!


    傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT,,全力推動基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命,!Changer Tech is - every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!


    基本公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求,,至此公司獲車規(guī)級認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。


    傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣,!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!


    AB2M080120H基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺研發(fā),,產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗,、低開關(guān)損耗,,可支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn),可應(yīng)用于車載OBC,、車載DCDC及汽車空調(diào)壓縮機(jī)領(lǐng)域,。此次通過AEC-Q101認(rèn)證,顯示AB2M080120H碳化硅MOSFET器件在極端環(huán)境下具備優(yōu)異性能,滿足汽車行業(yè)高功率密度,、高能效,、高可靠性的需求。此外,,基本公司同步推出了1200V 80mΩ和40mΩ規(guī)格的車規(guī)級碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,,封裝覆蓋TO-247-3、TO-247-4和TO-263-7,,可滿足汽車行業(yè)多樣性的應(yīng)用場景需求,。


    AEC-Q101認(rèn)證是汽車電子委員會(Automotive Electronics Council)制定的車用分立半導(dǎo)體元件可靠性測試標(biāo)準(zhǔn),在全球汽車產(chǎn)業(yè)都具有極高的權(quán)威性,。AEC-Q101認(rèn)證門檻高,,測試項(xiàng)目覆蓋廣,對分立器件的設(shè)計(jì)質(zhì)量,、安全性,、可靠性要求極為嚴(yán)苛,是分立半導(dǎo)體廠家進(jìn)入汽車領(lǐng)域的重要通行證,。


    基本公司自2017年開始布局車規(guī)級碳化硅器件研發(fā)和制造,,逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系,將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì),、開發(fā)到客戶服務(wù)的各業(yè)務(wù)過程中,,保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。公司分別在深圳,、無錫投產(chǎn)車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線和汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,;自主研發(fā)的汽車級碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個車型定點(diǎn),是國內(nèi)第一批碳化硅模塊量產(chǎn)上車的頭部企業(yè),。


    隨著新能源汽車行業(yè)的快速發(fā)展,,市場對高性能功率半導(dǎo)體的需求日益增長?;竟緦⒗^續(xù)加大研發(fā)投入,,提高質(zhì)量管理能力,優(yōu)化產(chǎn)品性能,,為汽車行業(yè)客戶研發(fā)更多高性能的車規(guī)級碳化硅功率器件產(chǎn)品,,全力助推碳中和愿景下的汽車產(chǎn)業(yè)電動化技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展!


    IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小,。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性,。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,,從而提高開關(guān)頻率,。進(jìn)一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,,相應(yīng)的損耗會下降,,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),,同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值,。


    未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn),更小的元胞尺寸,、更低的比導(dǎo)通電阻,、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向,,體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性,。

    為此,BASiC?基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,,提升可靠性,相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻,、器件開關(guān)損耗,,以及更高可靠性等優(yōu)越性能,可助力光伏儲能,、新能源汽車,、直流快充、工業(yè)電源,、通信電源,、伺服驅(qū)動、APF/SVG,、熱泵驅(qū)動,、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī),、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性,。


    為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求,,BASiC?基本公司基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,,產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻,、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn),。

    針對新能源汽車的應(yīng)用需求,,BASiC?基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動中,。

    B3M040120Z是BASiC?基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品,,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,,相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻,、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。

    BMF240R12E2G3是BASiC?基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊,,產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器,、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,在導(dǎo)通電阻,、開關(guān)損耗,、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色,。

    B2M040120T和B2M080120T是BASiC?基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,,主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中,。

    BASiC?基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列,,此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計(jì),可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,,還可用于驅(qū)動MOSFET,、IGBT等功率器件。



    為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。



    傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本?(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊,,BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET,,BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,,BASiC基本?I型三電平IGBT模塊,,BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?混合SiC-IGBT單管,,BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊,,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,,單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,,戶用光伏逆變器,,戶用光儲一體機(jī),儲能變流器,,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機(jī),PCS雙向變流器,,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域,。在光伏逆變器、光儲一體機(jī),、儲能變流器PCS,、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機(jī)驅(qū)動器,,射頻電源,,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動,,大功率工業(yè)電源,,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,,變槳伺服驅(qū)動輔助電源,,高頻逆變焊機(jī),高頻伺服驅(qū)動,,AI服務(wù)器電源,,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,,機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,,傾佳電子(Changer Tech)全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!


    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,,SiC碳化硅MOSFET模塊,,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,,驅(qū)動IC)分銷商,,聚焦新能源、交通電動化,、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈,。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下,,融合數(shù)字技術(shù),、電力電子技術(shù),、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù),,以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化,,以及“源,、網(wǎng)、荷,、儲,、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子(Changer Tech)-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向,,將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,,堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài),,為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束,,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,,直流充電座,,耐高壓連接器&插座,創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品,,包括線對板,、板對板、輸入輸出,、電源管理和FFC-FPC連接器,,涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器,用于地下無線充電的IP67級密封連接器,。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件:車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,,大容量RC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET模塊,,IGBT模塊,,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,IPM模塊,,IGBT單管,,混合IGBT單管,三電平IGBT模塊,,混合IGBT模塊,,光伏MPPT碳化硅MOSFET,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,,逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,,國產(chǎn)氮化鎵GaN,,隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品,傾佳電子(Changer Tech)全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè),,新能源汽車電控系統(tǒng),,電力電子裝備,新能源汽車充電樁系統(tǒng),,全液冷超充,,高功率密度風(fēng)冷充電模塊,液冷充電模塊,,歐標(biāo)充電樁,,車載DCDC模塊,國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器,,分布式能源,、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò),、V2X,、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲,,智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用,,傾佳電子(Changer Tech)為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心,、零碳網(wǎng)絡(luò),、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗,從而為實(shí)現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻(xiàn),,邁向數(shù)字能源新時代,!


    公司檔案

    公司名稱: 武漢傾佳電子有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 ()
    所 在 地: 湖北/武漢市 公司規(guī)模:
    注冊資本: 未填寫 注冊年份: 2018
    資料認(rèn)證:
    保 證 金: 已繳納 0.00
    經(jīng)營范圍: BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|華中SiC碳化硅MOSFET功率模塊|國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET武漢代理商|SiC碳化硅MOSFET持續(xù)替代IGBT|2000V碳化硅MOSFET|伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET|SVG及APF電能質(zhì)量SiC碳化硅MOSFET|風(fēng)電變流器SiC碳化硅MOSFET模塊|工業(yè)變頻器SiC碳化硅MOSFET|基本公司SiC碳化硅MOSFET|國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET武漢代理商
    主營行業(yè):
    電子電工