專業(yè)分銷BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體單管IGBT,，BASiC基本半導(dǎo)體IGBT模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導(dǎo)體I型三電平IGBT模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體T型三電平IGBT模塊,，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT模塊,，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC基本半導(dǎo)體混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器,，戶用光儲(chǔ)一體機(jī),，儲(chǔ)能變流器，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊,，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路,，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域,。在光伏逆變器,、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS,、OBC車載充電器,，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源,，PET電力電子變壓器,，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，大功率工業(yè)電源,，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器,，變頻器，變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源,，高頻逆變焊機(jī),，高頻伺服驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展,！

專業(yè)分銷基本半導(dǎo)體全碳化硅MOSFET模塊,，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,，F(xiàn)ull SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級(jí)充電樁,，V2G充電樁,，高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC)，空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng),，機(jī)車輔助電源,，儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),，超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器，高速電機(jī)變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓?fù)淠孀兡K,。儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲(chǔ)碳化硅MOSFET,。

基本半導(dǎo)體再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會(huì)——PCIM Europe 2023,，在德國(guó)紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升,，產(chǎn)品類型進(jìn)一步豐富,，助力新能源汽車、直流快充,、光伏儲(chǔ)能,、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性,。

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻,、高壓、高溫性能,，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件,。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率,，提升系統(tǒng)效率及功率密度,，降低系統(tǒng)綜合成本。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā),，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻,、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3,、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,，以更好地滿足客戶需求,。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)

更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%,，產(chǎn)品性能顯著提升,。

更低器件開關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%,。反向傳輸電容Crss降低,，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn),。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB,、HTRB和H3TRB可靠性考核,，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C,，提高器件高溫工作能力,。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z,，B2M065120R,，B2M040120H，B2M040120Z,，B2M040120R,，B2M035120YP，B2M020120H,，B2M020120Z,，B2M020120R，B2M1000170H,，B2M1000170Z,，B2M1000170R，B2M0242000Z,。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,，T型三電平模塊,，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。

B2M030120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H,，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K,。

B2M0242000Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。

B2M035120YP,，B2M040120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,。

B2M020120Z國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H,，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,。

B2M1000170R國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。

B2M065120H國(guó)產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S,。

B2M065120Z國(guó)產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H,，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A

NPC（Neutral Point Clamped）三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。近年來(lái)隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展，NPC三電平技術(shù)開始越來(lái)越多的應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域,，包括光伏逆變器、風(fēng)電變流器,、高壓變頻器,、UPS、APF/SVG,、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用,。NPC拓?fù)涑Ｓ玫挠袃煞N結(jié)構(gòu)，就是我們常說(shuō)的“I”字型（也稱NPC1）和“T”字型（也稱NPC2,、MNPC,、TNPC、NPP等）,。另外ANPC也是一種NPC1的改進(jìn)型,，這些年隨著器件的發(fā)展，ANPC也開始有一些適合的應(yīng)用,。

在分時(shí)電價(jià)完善,、峰谷電價(jià)差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動(dòng)下,，工商業(yè)儲(chǔ)能的經(jīng)濟(jì)性明顯提升,。工商業(yè)儲(chǔ)能是用戶側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的主要類型之一，可以大化提升光伏自發(fā)自用率,，降低工商業(yè)業(yè)主的電費(fèi)開支,，助力企業(yè)節(jié)能減排。

工商業(yè)儲(chǔ)能裝機(jī)有望在政策鼓勵(lì),、限電刺激,、電價(jià)改革等利好因素刺激下進(jìn)入高速增長(zhǎng)期，復(fù)合增速有望持續(xù)飆升,。