國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!

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使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT變流器，實現(xiàn)更高的變流效率,，更小的變流體積重量,！更低的變流成本！

隨著銅價暴漲高燒不退,，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點,，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件,，散熱系統(tǒng),，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代,，未來已來,！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?SiC碳化硅MOSFET！傾佳電子（Changer Tech）全力推進(jìn)基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT!

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT,，全力推動國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is - every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H,，IMYH200R075M1H,，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H,，IMYH200R012M1H,，DF4-19MR20W3M1HF_B11，F(xiàn)F4MR20KM1HP,，F(xiàn)F3MR20KM1H,，F(xiàn)F5MR20KM1HP，F(xiàn)F5MR20KM1H,，F(xiàn)F4MR20KM1H,，F(xiàn)F3MR20KM1HP。

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11,，F(xiàn)F900R17ME7W_B11,，F(xiàn)F450R12KT4，F(xiàn)F600R12ME4_B72,，F(xiàn)F750R12ME7_B11,，F(xiàn)F900R12ME7P_B11,，IFF600B12ME4_B11，F(xiàn)F600R12KE4

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1,，SK40MB120CR03TE1,，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1,，SK150MB120CR03TE2,，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC,，SK250MB120CR03TE2V1,，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15,，SKM350MB120SCH17,，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17

基本公司?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50,，2MBI450XHA120-50,，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50,，2MBI800XNE120-50,，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50,，2MBI600XNG170-50,，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50,，2CSI450DAHE120-50,，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50,，2CSI300DAHE170-50,，2CSI400DAHE170-50

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng),，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器,，1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器,，固態(tài)變壓器等,。

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復(fù)雜,，頻率低,，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造，控制簡單可靠,，頻率提升,，電感成本降低,，MPPT部分提升效率，降低成本,。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限,。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性,。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率,。進(jìn)一步的,，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會下降,，從而全面減少系統(tǒng)損耗,。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,，功率損耗可以降低約70%左右,，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值,。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn),，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻,、更低的開關(guān)損耗,、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性,。

為此,，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻,、器件開關(guān)損耗,，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能,、新能源汽車,、直流快充、工業(yè)電源,、通信電源,、伺服驅(qū)動、APF/SVG,、熱泵驅(qū)動,、工業(yè)變頻器,、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性,。

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓,、大功率的應(yīng)用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ,、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗,、低開關(guān)損耗,、支持更高開關(guān)頻率運(yùn)行等特點。

針對新能源汽車的應(yīng)用需求,，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,，可主要應(yīng)用在車載充電機(jī)及汽車空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動中。

B3M040120Z是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品,，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻,、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升,。

BMF240R12E2G3是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器,、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗,、抗誤導(dǎo)通,、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,，主要應(yīng)用于OBC,、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列,，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計,，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET,、IGBT等功率器件,。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在,。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢,。

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,，SiC碳化硅MOSFET模塊,，碳化硅SiC-MOSFET,，氮化鎵GaN，驅(qū)動IC)分銷商,，聚焦新能源,、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下,，融合數(shù)字技術(shù),、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù),，以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化,、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源,、網(wǎng),、荷、儲,、車”的協(xié)同發(fā)展,。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束,，新能源汽車連接器,，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座,，耐高壓連接器&插座,，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板,、板對板,、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器,，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器,，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,，大容量RC-IGBT模塊,，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,，IPM模塊,，IGBT單管，混合IGBT單管,，三電平IGBT模塊,，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET,，伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,，逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET,，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN,，隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品,，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng),，電力電子裝備,，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充,，高功率密度風(fēng)冷充電模塊,，液冷充電模塊，歐標(biāo)充電樁,，車載DCDC模塊,，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器，分布式能源,、虛擬電廠,、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X,、綜合智慧能源,、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用,，傾佳電子（Changer Tech）為實現(xiàn)零碳發(fā)電,、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò),、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗,，從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻(xiàn)，邁向數(shù)字能源新時代,！