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BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點,，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發(fā)射極連接,。此 4 引腳也被稱為開爾文發(fā)射極端子,，繞過柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量,。主要規(guī)格有BGH50N65HF1,，BGH50N65ZF1,，BGH75N65HF1，BGH75N65ZF1,，BGH40N120HF特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路,。其常見應用包括：車載充電機（OBC）、ESS儲能系統(tǒng),、PV inverter光伏逆變器,、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS) ,，基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,，在部分應用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封）,，使IGBT的開關損耗大幅降低，適用于車載電源充電機（OBC）,、通信電源,、高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、儲能等領域,。

BASiC基本半導體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管,，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對管IGBT開通損耗,，且自身反向恢復損耗Erec也明顯降低,，IGBT開通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI,，廣泛應用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器,，充電樁電源模塊,，移動儲能逆變器功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等,。

BASiC基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC,，B1M080120HC，B1M080120HK,，B1M032120HC,，B1M032120HK具備開關中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無反向恢復損耗,、與溫度無關的低開關損耗,，以及無閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開關和諧振開關拓撲,，如LLC和ZVS,，廣泛應用于OBC車載充電器,，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊等,，可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅(qū)動器進行驅(qū)動,。由于能在高開關頻率下帶來高效率，從而可以減小系統(tǒng)尺寸,、增大功率密度,，并確保高可靠性，延長使用壽命,。

光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H,，B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete,，混合三電平SiC-IGBT模塊,，IGBT單管，混合IGBT單管,，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊,，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊,，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET,，碳化硅（SiC）MOSFET,，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器SiC MOSFET,，三電平IGBT模塊,，光儲一體機混合IGBT器件

BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現(xiàn)了更高的電流密度,、更小的元胞尺寸,、更低的正向?qū)▔航怠ASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產(chǎn)品的優(yōu)點,，采用JBS結(jié)構(gòu),，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層,，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC,，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗。