 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC光伏逆變器!-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT光伏逆變器,,實(shí)現(xiàn)更高的光伏逆變器效率,更小的光伏逆變器體積重量,!更低的光伏逆變器成本,!
隨著銅價(jià)暴漲高燒不退,,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn),使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,,散熱系統(tǒng),整機(jī)重量),,電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代,,未來(lái)已來(lái)!傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET,!
傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣,!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于光儲(chǔ)中的Boost、T型三電平,、DCDC等高開(kāi)關(guān)頻率拓?fù)洹?/span>
組串式逆變器是基于模塊化概念基礎(chǔ)上的,,每個(gè)光伏組串通過(guò)一個(gè)逆變器,多塊電池板組成一個(gè)組串,,接入小功率單相逆變器在直流端具有最大功率峰值跟蹤,,在交流端并聯(lián)并網(wǎng),已成為現(xiàn)在全球市場(chǎng)上最流行的逆變器,。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用DC-DC-BOOST升壓(MPPT)和DC-AC逆變兩級(jí)電力電子器件變換,,防護(hù)等級(jí)一般為IP65。體積較小,,可室外壁掛式安裝,。 組串光伏逆變器有多路MPPT,每路MPPT器件選型為基本?B2M040120Z或B3M040120Z+基本?碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H. MPPT選擇基本?SiC碳化硅功率器件方案的邏輯: 組串式逆變器早期舊方案中的開(kāi)關(guān)管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯(lián)或者75A/1200V IGBT,,升壓二極管是1200V 60A Si FRD,,開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)頻率只有16kHz~18kHz 而新方案選用基本?SiC碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)B2M040120Z或B3M040120Z頻率為40-60kHz,大幅度減小了電感等磁性元件的體積和成本,,并且基本?SiC碳化硅功率器件的殼溫低于IGBT方案,,提升了系統(tǒng)可靠性。
基本公司SiC碳化硅MOSFET組串式逆變器DC-AC中的應(yīng)用 SiC MOSFET在三電平并網(wǎng)逆變器中的應(yīng)用
基本公司SiC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z適用于組串式逆變器DC-AC中T型三電平的豎管,。逆變器開(kāi)關(guān)頻率通常較高,,同時(shí)其工作原理決定了開(kāi)關(guān)損耗占比較大,所以豎管需要具有低的開(kāi)關(guān)損耗,;基本公司B2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計(jì)快速開(kāi)關(guān)單極型器件,,替代升級(jí)雙極型 IGBT (絕緣柵雙極晶體管)?;竟綛2M040120Z或B3M040120Z碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率,、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統(tǒng)成本,。T型三電平橫管可以使用基本公司混合碳化硅器件,。 通過(guò)使用基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以很容易地從光伏三電平并網(wǎng)逆變器整體效率的提高中計(jì)算出能源使用和成本節(jié)約,;與IGBT單管解決方案相比,基本公司SiC碳化硅MOSFET單管可以將儲(chǔ)能變流器PCS或者光伏三電平并網(wǎng)逆變器的損耗減半,,并提供通常2%的額外能量和運(yùn)行時(shí)間,。基本公司SiC碳化硅MOSFET單管B2M040120Z或B3M040120Z的單位成本已經(jīng)接近IGBT單管,。因?yàn)榛竟維iC碳化硅MOSFET單管更高的開(kāi)關(guān)頻率允許光伏三電平并網(wǎng)逆變器使用更小,、更便宜的磁性元件和散熱器,所以在系統(tǒng)層面上,,光伏三電平并網(wǎng)逆變器硬件成本會(huì)大大降低,。
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小,。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限,。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗,,從而提高開(kāi)關(guān)頻率,。進(jìn)一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,,相應(yīng)的損耗會(huì)下降,,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊,,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍(實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),,同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值,。
為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在,。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降,,使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì),。
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本?(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET,,BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,,BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?I型三電平IGBT模塊,,BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊,,BASiC基本?混合SiC-IGBT單管,BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350,,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片(帶VCE保護(hù))BTD3011,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,,戶用光儲(chǔ)一體機(jī),儲(chǔ)能變流器,,儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊,,儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路,光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器,,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域,。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī),、儲(chǔ)能變流器PCS,、OBC車載充電器,熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器,,射頻電源,,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng),,大功率工業(yè)電源,,工商業(yè)儲(chǔ)能變流器,變頻器,,變槳伺服驅(qū)動(dòng)輔助電源,,高頻逆變焊機(jī),高頻伺服驅(qū)動(dòng),,AI服務(wù)器電源,,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,,機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,,傾佳電子(Changer Tech)全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展!
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,,SiC碳化硅MOSFET模塊,,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,,聚焦新能源、交通電動(dòng)化,、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,,致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢(shì)場(chǎng)景下,,融合數(shù)字技術(shù),、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲(chǔ)能管理技術(shù),,以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化,、用能的電氣化和用電的高效化,以及“源,、網(wǎng),、荷、儲(chǔ),、車”的協(xié)同發(fā)展,。傾佳電子(Changer Tech)-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向,將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,,堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手,,積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài),為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束,,新能源汽車連接器,,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,,耐高壓連接器&插座,,創(chuàng)新型車規(guī)級(jí)互聯(lián)產(chǎn)品,包括線對(duì)板,、板對(duì)板,、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器,,涵蓋2級(jí)充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級(jí)超快速充電站的高能效電源連接器,,用于地下無(wú)線充電的IP67級(jí)密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件:車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET,,大容量RC-IGBT模塊,,碳化硅(SiC)MOSFET模塊,IGBT模塊,,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,,IPM模塊,IGBT單管,,混合IGBT單管,,三電平IGBT模塊,混合IGBT模塊,,光伏MPPT碳化硅MOSFET,,伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET,,逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,,儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,國(guó)產(chǎn)氮化鎵GaN,,隔離驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品,,傾佳電子(Changer Tech)全面服務(wù)于中國(guó)新能源汽車行業(yè),新能源汽車電控系統(tǒng),,電力電子裝備,,新能源汽車充電樁系統(tǒng),全液冷超充,,高功率密度風(fēng)冷充電模塊,液冷充電模塊,,歐標(biāo)充電樁,,車載DCDC模塊,國(guó)網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲(chǔ)變流器,,分布式能源,、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò),、V2X,、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲(chǔ),,智能組串式儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用,,傾佳電子(Changer Tech)為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心,、零碳網(wǎng)絡(luò),、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗,從而為實(shí)現(xiàn)一個(gè)零碳地球做出貢獻(xiàn),,邁向數(shù)字能源新時(shí)代,!Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!
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